Εξωθημένο τετράγωνο αργίλιο, αργίλιο περιφράξεων ηλεκτρονικής, μέρη πλαισίων παραθύρων

Μέρη πλαισίων παραθύρων αργιλίου για εξωθημένη ηλεκτρονική αργιλίου παραθύρων την πλαίσια

Ηλεκτροφορητική επεξεργασία επιστρώματος

Το επίστρωμα ηλεκτροφόρησης δημιουργήθηκε στην Ιαπωνία και υποβλήθηκε σε επεξεργασία πραγματικά βάσει της ανοδικής οξείδωσης. Το επίστρωμα ηλεκτροφόρησης έχει ένα διπλό στρώμα της ανοδικών ταινίας οξειδίων και του πολυμερούς επιστρώματος. Η ηλεκτροφορητική ζωγραφική πρόκειται να χτίσει και το αντίστοιχο ηλεκτρόδιο στο υγρό υδροδιαλυτό χρώμα ηλεκτροφόρησης ρητίνης, όταν συνδέεται η παροχή συνεχούς ηλεκτρικού ρεύματος, στο πλαίσιο της δράσης του ηλεκτρικού πεδίου, ο ιζηματώδης σχηματισμός του ομοιόμορφου επιστρώματος ταινιών στα μέρη μιας διαδικασίας, μια ομοιόμορφη ταινία χρωμάτων, ισχυρή προσκόλληση, υψηλό ποσοστό χρησιμοποίησης επιστρώματος, ταχύτητα κατασκευής είναι λίγο. Έχει επίσης την καλή επίδραση επιστρώματος για το σχεδιάγραμμα.

Φωσφοριώντας επεξεργασία εγχυτήρων

Στην επιφάνεια κραμάτων αργιλίου χαράξτε τον εγχυτήρα επίστρωμα διαμορφώνεται συγχρόνως στο επίστρωμα φωσφιδίων αλουμινίου, μπορεί να χαράξει την επίδραση οι ίδιοι εμπυρεύματος εγχυτήρων μόνο, είναι ένα είδος μεθόδου προεπεξεργασίας επιφάνειας, κυρίως χρησιμοποιημένος την ανοδική οξείδωση και στη χημική οξείδωση τα συστατικά δεν θα λειτουργήσουν. Χαράξτε τον εγχυτήρα των παραγωγών, στο συστατικό α δίνεται προτεραιότητα με την πολυβινυλική butyral ρητίνη, με τις αντιοξειδωτικές χρωστικές ουσίες χρωμικών αλάτων και τις πρόσθετες ουσίες, όπως το συστατικό αφετέρου, φωσφορικό οξύ, μέρος πριν τη χρήση σύμφωνα με τις διατάξεις, αναλογία μιγμάτων, χρώμα ψεκασμού για το μέρος επιφάνειας πιάτων αργιλίου του συνδυασμού φωσφορικού άλατος και μετάλλων αργιλίου, κάνει την επιφάνεια μετάλλων και το σύστημα επιστρώματος εγχυτήρων έχει το αγαθό που συνδυάζει τη δυνατότητα. Εντούτοις, ο εγχυτήρας φωσφορικού άλατος είναι υψηλός στον όρο κατασκευής, και ελαφρώς λιγότερο προσεκτικός, μπορεί να αναγκάσει την ταινία χρωμάτων για να είναι εύθραυστη, να προκαλέσει τη σοβαρή συνέπεια του μεγάλης κλίμακας χρώματος πτώσης.

Ιονική εμφύτευση

Η ιονική μέθοδος εμφύτευσης αναπτύσσεται στη δεκαετία του '70, μια τεχνολογία τροποποίησης επιφάνειας, έχει επιτυχώς όπως ο χάλυβας, μήτρα κραμάτων τιτανίου στην επιφάνεια των στοιχείων Tj, Γ και Ν, βελτιώνει την αντοχή και την αντίσταση διάβρωσης του υλικού υποστρωμάτων, και έχει τεθεί στην παραγωγή. Τα τελευταία χρόνια, οι ερευνητές έχουν πραγματοποιήσει επίσης την ιονική έρευνα εμφύτευσης για την επιφάνεια αργιλίου και έχουν σημειώσει κάποια πρόοδο. Στη H2SO4 λύση, οι ηλεκτροχημικές ιδιότητες του ηλεκτροδίου αργιλίου που εγχθηκε με το PB μελετήθηκαν από [15]. Το πείραμα δείχνει ότι H2SO4 στη λύση, το ηλεκτρόδιο αργιλίου που εγχέεται με το μόλυβδο έχει την καλή αντίσταση διάβρωσης, και αναμένεται για να επεκτείνει την εφαρμογή του αργιλίου ή του κράματος αργιλίου σε τέτοιες βιομηχανίες όπως την υγρές μεταλλουργία και την ηλεκτρολυτική επιμετάλλωση.